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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Light emitting diodes Strong coupling Aluminum gallium nitride Traps Free-standing GaN Transmission electron microscopy Gallium nitride GaN Microcavity Zinc oxide Quantum wells MBE Nanostructures AlGaN Spectroscopy Épitaxie AlN MOCVD Al Nitrides DLTFS GaN-on-Si Nitrures d'éléments III Semiconducteurs AlGaN/GaN HEMT Epitaxy High electron mobility transistor HEMT Silicon Excitons Silicon carbide Atom probe tomography III-nitrides HEMT Doping 3C–SiC AlGaN/GaN Chemical vapor deposition processes Metasurface Gallium nitride Characterization LED Holography Croissance Optical properties Bullseye antennas Quantum dots III-nitride semiconductors GaN CVD Millimeter-wave power density Metalens 2D materials 6H-SiC Creep Diffraction Nitrure de gallium Nanoparticles Bending Tunnel junction Schottky barrier diode Silica Molecular beam epitaxy MBE LEDs Photoluminescence Electron holography Group III-nitrides Diodes électroluminescentes Chemical vapor deposition Molecular beam epitaxy Boron nitride Cathodoluminescence Electrical properties and parameters Microscopie électronique en transmission Transistor High electron mobility transistors GaN HEMT Dislocations High electron mobility transistor Aluminum nitride ZnO III-N Defects Heterostructures Selective area growth Silicium Caractérisation LPCVD InGaN Coalescence Contraintes CRYSTALS Normally-off Atomic force microscopy Boîtes quantiques Graphene Compressive stress Metasurfaces Bond order wave Semiconductors Nanowire Épitaxie par jets moléculaires