Driving and monitoring of SiC power MOSFET : Integration of smart fonctions in gate driver boards
Pilotage et surveillance de MOSFET SiC : Intégration de fonctions intelligentes dans les drivers de grille
Résumé
Les drivers de grille sont utilisés pour permettre une commutation sécurisée du semiconducteur. De nos jours, les cartes de commande rapprochée intègrent de plus en plus de fonctions comme la détection de courtcircuits, le blocage en douceur, la mesure de température, la surveillance VDS... Dans ce contexte, des circuits de mesure embarqués sont proposés pour permettre la surveillance en temps réel de quelques indicateurs de vieillissement. L’instrumentation de la carte driver suppose l’intégration de moyens de communication adaptés. Une méthode de communication spécifique est proposée pour éviter la circulation de courants de mode commun supplémentaires dû aux dv/dt. Un démonstrateur compact a été conçu et testé sur un module MOSFET SiC 1.2kV.
Les composants à semi-conducteurs de puissance SiC sont de plus en plus utilisés dans les systèmes de conversion d’énergie électrique. Les composants de puissance de type MOSFET SiC peuvent opérer à fréquence plus élevée et à plus haute température en comparaison de leur concurrent Silicium MOSFET ou IGBT. Cependant, la technologie SiC est moins mature. De récentes études sur la fiabilité des composants MOSFET SiC ont identifié des indicateurs de vieillissement tels que l’augmentation des courants de fuite de grille ou de la résistance à l’état passant. La surveillance de ces paramètres pendant le fonctionnement normal peut permettre la prédiction des défaillances et simplifier la maintenance des systèmes de conversion d’énergie.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)