N- and P-type top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (T<200° C) on the same glass substrate

Ismaïl Souleiman , Khalid Kandoussi (1) , Khaled Belarbi (1) , Rabah Cherfi (1) , Abdelkrim Fedala (1) , Nathalie . Coulon (2) , Claude Simon (2) , Tayeb Mohammed-Brahim (2)

1 IETR - Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes
2 IETR - Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

Ismaïl Souleiman, Khalid Kandoussi, Khaled Belarbi, Rabah Cherfi, Abdelkrim Fedala, et al.. N- and P-type top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (T<200° C) on the same glass substrate. physica status solidi (c), 2010, 7 (3-4), pp.1148-1151. ⟨10.1002/pssc.200982690⟩. ⟨hal-00506742⟩