Suspended-Gate Field-Effect Transistor as generic structure for highly sensitive charged ambience sensors (Environment and Health Care) - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Suspended-Gate Field-Effect Transistor as generic structure for highly sensitive charged ambience sensors (Environment and Health Care)

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Yolande Sambin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00511510

Soumis le : mercredi 25 août 2010-13:28:54

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:53

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00511510 , version 1 (25-08-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00511510 , version 1

Citer

Tayeb Mohammed-Brahim, France Le Bihan, Anne-Claire Salaün. Suspended-Gate Field-Effect Transistor as generic structure for highly sensitive charged ambience sensors (Environment and Health Care). Workshop GDRI NAMIS, National Tsing Hua University Taiwan, Jun 2010, Taïwan, Taiwan. ⟨hal-00511510⟩

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