Article Dans Une Revue
physica status solidi (c)
Année : 2010
Yolande Sambin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00619526
Soumis le : mardi 6 septembre 2011-15:36:47
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54
Citer
N. Khelifati, S. Tata, A. Rahal, Rabah Cherfi, Abdelkrim Fedala, et al.. The annealing temperature effect on the electrical properties of boron-doped hydrogenated amorphous silicon a-Si:H(B). physica status solidi (c), 2010, 7 (3-4), pp.679-682. ⟨10.1002/pssc.200982718⟩. ⟨hal-00619526⟩
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