Schottky diode based on microcrystalline silicon deposited at 165°C for RFID application - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00619638 , version 1 (06-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00619638 , version 1

Citer

Ismaïl Souleiman, Khalid Kandoussi, Khaled Belarbi, Claude Simon, Nathalie . Coulon, et al.. Schottky diode based on microcrystalline silicon deposited at 165°C for RFID application. ECS Transactions, 2010, 33 (5), pp.227-236. ⟨hal-00619638⟩
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