Schottky diode based on microcrystalline silicon deposited at 165°C for RFID application - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00623240 , version 1 (13-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00623240 , version 1

Citer

Ismaïl Souleiman, Khalid Kandoussi, Khaled Belarbi, Claude Simon, Nathalie . Coulon, et al.. Schottky diode based on microcrystalline silicon deposited at 165°C for RFID application. 218th ECS Meeting, Oct 2010, Las Vegas, United States. ⟨hal-00623240⟩
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