Abrupt heterointerface and low defect density in GaP/Si nanolayers - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Abrupt heterointerface and low defect density in GaP/Si nanolayers

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01115278 , version 1 (10-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01115278 , version 1

Citer

Yanping Wang, Julien Stodolna, Thanh Tra Nguyen, Antoine Létoublon, Jithesh Kuyyalil, et al.. Abrupt heterointerface and low defect density in GaP/Si nanolayers. Compound Semiconductor Week 2014, May 2014, Montpellier, France. ⟨hal-01115278⟩
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