Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/Si - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/Si

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01115312 , version 1 (10-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01115312 , version 1

Citer

Olivier Durand, Samy Almosni, Yanping Wang, Charles Cornet, Antoine Létoublon, et al.. Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/Si. Matériaux 2014, Nov 2014, Montpellier, France. ⟨hal-01115312⟩
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