Sensors based in suspended gate field effect transistors por pH measurements - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics C: Solid State Physics Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01121049 , version 1 (27-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121049 , version 1

Citer

Bruno da Silva Rodrigues, A.L. Siarkowski, Olivier de Sagazan, Samuel Crand, Tayeb Mohammed-Brahim, et al.. Sensors based in suspended gate field effect transistors por pH measurements. Journal of Physics C: Solid State Physics, 2013, Conference Series, 421. ⟨hal-01121049⟩
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