Poly Si TFTs Formed below 180°C Using Blue Laser Diode Annealing - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Poly Si TFTs Formed below 180°C Using Blue Laser Diode Annealing

T Nogushi
  • Fonction : Auteur
K Sugihara
  • Fonction : Auteur
K Shimoda
  • Fonction : Auteur
T Gushiken
  • Fonction : Auteur
T. Okada
Emmanuel Jacques
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
Hanpeng Dong
  • Fonction : Auteur
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
Tayeb Mohammed-Brahim
  • Fonction : Auteur
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01121560

Soumis le : lundi 2 mars 2015-10:46:06

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01121560 , version 1 (02-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121560 , version 1

Citer

T Nogushi, K Sugihara, K Shimoda, T Gushiken, T. Okada, et al.. Poly Si TFTs Formed below 180°C Using Blue Laser Diode Annealing. The 21th International Display Workshop (IDW 2014), Dec 2014, Niigata, Japan. ⟨hal-01121560⟩

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