Electronic band structure and optical properties of GaNxPyAs1-x-y with y≥0.6 studied by electro-modulation spectroscopy and photoluminescence - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Electronic band structure and optical properties of GaNxPyAs1-x-y with y≥0.6 studied by electro-modulation spectroscopy and photoluminescence

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Charles Cornet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01147488

Soumis le : jeudi 30 avril 2015-15:16:22

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01147488 , version 1 (30-04-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01147488 , version 1

Citer

K. Zelazna, M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, W. Walukiewicz, Samy Almosni, et al.. Electronic band structure and optical properties of GaNxPyAs1-x-y with y≥0.6 studied by electro-modulation spectroscopy and photoluminescence. Compound semiconductor week 2015, Jun 2015, Santa-Barbara, United States. ⟨hal-01147488⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

INSTITUT-TELECOM UNIV-RENNES1 CNRS INSA-RENNES FOTON FOTON-INSA FOTON_OHM UR1-MATH-STIC UNIV-RENNES INSA-GROUPE ANR UR1-MATH-NUM
63 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More