Effect of total gas pressure in sputtered hydrogenated amourphous silicon. - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2014

Effect of total gas pressure in sputtered hydrogenated amourphous silicon.

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01522411

Soumis le : lundi 15 mai 2017-08:57:50

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:04

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Dates et versions

hal-01522411 , version 1 (15-05-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01522411 , version 1

Citer

Abdelkrim Fedala, Moussa Khefiani-Guellil, S Tata, C. Simon, T. Mohammed-Brahim. Effect of total gas pressure in sputtered hydrogenated amourphous silicon.. physica status solidi (c), 2014, C11 (11-12 ). ⟨hal-01522411⟩

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