Theoretical insights and experimental characterization of HfO 2 -based OxRRAMs operation

Boubacar Traore; Patrick Blaise; E. Vianello; B. Sklenard

doi:10.1007/s10825-017-1085-5

Article Dans Une Revue Journal of Computational Electronics Année : 2017

Theoretical insights and experimental characterization of HfO 2 -based OxRRAMs operation

(1) , (2) , (2) , (2)

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Boubacar Traore

Fonction : Auteur correspondant
PersonId : 176597
IdHAL : boubacar-traore
ORCID : 0000-0003-0568-4141
IdRef : 188870881

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Institut des Sciences Chimiques de Rennes

Patrick Blaise

Fonction : Auteur
PersonId : 173427
IdHAL : patrick-blaise
ORCID : 0000-0003-4609-5351
IdRef : 057729727

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

CV

E. Vianello

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

B. Sklenard

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Mots clés

Ti/HfO 2 interface Oxygen vacancy (Vo) diffusion HfTiO HfO 2 HfAlO Doping/alloying Data retention Conductive filament (CF)

Domaines

Chimie

Laurent Jonchère : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://univ-rennes.hal.science/hal-01671617

Soumis le : vendredi 22 décembre 2017-14:36:11

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Dates et versions

hal-01671617 , version 1 (22-12-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01671617 , version 1
DOI : 10.1007/s10825-017-1085-5

Citer

Boubacar Traore, Patrick Blaise, E. Vianello, B. Sklenard. Theoretical insights and experimental characterization of HfO 2 -based OxRRAMs operation. Journal of Computational Electronics, 2017, 16 (4), pp.1045-1056. ⟨10.1007/s10825-017-1085-5⟩. ⟨hal-01671617⟩

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