Croissance et caracterisation de nanofils de Si et Ge [Defense 22.07.2015] - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Pré-Publication, Document De Travail Année : 2013

Croissance et caracterisation de nanofils de Si et Ge [Defense 22.07.2015]

Croissance et caracterisation de nanofils de Si et Ge [Soutenance 22.07.2015]

Mahmoud Israel
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique de Rennes

Résumé

supervisors Jean-Pierre Landesman (department of materials - nanosciences) and Laurent Pichon
sous la direction de Jean-Pierre Landesman dans le département Matériaux-Nanosciences et de Laurent Pichon

Mots clés

PhDtitle Soutenance2015

Domaines

Physique [physics]

Alexandra Viel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02293760

Soumis le : samedi 21 septembre 2019-20:55:14

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02293760 , version 1 (21-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02293760 , version 1

Citer

Mahmoud Israel. Croissance et caracterisation de nanofils de Si et Ge [Defense 22.07.2015]. 2013. ⟨hal-02293760⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-RENNES1 CNRS OSUR IPR IPR-MN UR1-UFR-SPM UNIV-RENNES UR1-MMS
16 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More