Highly controllable dual-gate microcrystalline silicon thin film transistor processed at low temperature (T<180°C) - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2011

Highly controllable dual-gate microcrystalline silicon thin film transistor processed at low temperature (T<180°C)

Katell Kervella  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00905327

Soumis le : lundi 18 novembre 2013-10:17:09

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:57

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00905327 , version 1 (18-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00905327 , version 1

Citer

Khalid Kandoussi, Emmanuel Jacques, Nathalie . Coulon, Claude Simon, Tayeb Mohammed-Brahim. Highly controllable dual-gate microcrystalline silicon thin film transistor processed at low temperature (T<180°C). Solid-State Electronics, 2011, pp.140-144. ⟨hal-00905327⟩

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