Material engineering for improving the electrical behavior of quasi vertical thin film transistors - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Material engineering for improving the electrical behavior of quasi vertical thin film transistors

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Yolande Sambin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01102686

Soumis le : mardi 13 janvier 2015-12:36:54

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01102686 , version 1 (13-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01102686 , version 1

Citer

Olivier Bonnaud, Peng Zhang, Emmanuel Jacques, Régis Rogel. Material engineering for improving the electrical behavior of quasi vertical thin film transistors. SUCCE7, Oct 2013, Beijing, China. ⟨hal-01102686⟩

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