Vertical conduction in the new field effect transistors: p-type and n-type vertical channel thin film transistors - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Vertical conduction in the new field effect transistors: p-type and n-type vertical channel thin film transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01102693 , version 1 (13-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01102693 , version 1

Citer

Olivier Bonnaud, Peng Zhang, Emmanuel Jacques, Régis Rogel. Vertical conduction in the new field effect transistors: p-type and n-type vertical channel thin film transistors. WOFE, Dec 2013, San Juan, Puerto Rico. ⟨hal-01102693⟩
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