Bottom gate field-effect transistor for sensor device - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2014

Bottom gate field-effect transistor for sensor device

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

France Le Bihan  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01114279

Soumis le : lundi 9 février 2015-09:47:14

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01114279 , version 1 (09-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01114279 , version 1

Citer

Laetitia Donero, France Le Bihan, Laurent Le Brizoual, Régis Rogel, Abdel-Aziz El Mel, et al.. Bottom gate field-effect transistor for sensor device. JED (Journées de l’école doctorale 3MPL), Jun 2014, Nantes, France. ⟨hal-01114279⟩

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