Effect of total gas pressure in sputtered hydrogenated amourphous silicon - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2014

Effect of total gas pressure in sputtered hydrogenated amourphous silicon

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Katell Kervella  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01121118

Soumis le : vendredi 27 février 2015-14:44:37

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

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Dates et versions

hal-01121118 , version 1 (27-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121118 , version 1

Citer

Abdelkrim Fedala, Aghilas Dad, Moussa Khefiani-Guellil, Sonia Tata, Claude Simon, et al.. Effect of total gas pressure in sputtered hydrogenated amourphous silicon. physica status solidi (c), 2014, C11, 11-12, pp.1682-1685. ⟨hal-01121118⟩

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