Surface Passivation by Amorphous Silicon a-Si: H Thin Film in Presence of the SiNx: H Layer - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Surface Passivation by Amorphous Silicon a-Si: H Thin Film in Presence of the SiNx: H Layer

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01121554

Soumis le : lundi 2 mars 2015-10:39:11

Dernière modification le : mercredi 25 octobre 2023-15:32:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01121554 , version 1 (02-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121554 , version 1

Citer

F. Kezzoula, Tayeb Mohammed-Brahim, M. Kechouane, A. Elamrani, H. Menari. Surface Passivation by Amorphous Silicon a-Si: H Thin Film in Presence of the SiNx: H Layer. 29th European Photovoltaic Energy Conference and Exhibition ( EU PVSEC 2014), Sep 2014, Amsterdam, Netherlands. ⟨hal-01121554⟩

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