Effect of the substrate-holder bias voltage on the physical and chemical properties of a Si:H thin films prepared by DC magnetron sputtering - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Effect of the substrate-holder bias voltage on the physical and chemical properties of a Si:H thin films prepared by DC magnetron sputtering

R. Cherfi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Physique des Matériaux
A. Benabdelmoumen
  • Fonction : Auteur
M. Kechouane
  • Fonction : Auteur
Tayeb Mohammed-Brahim
  • Fonction : Auteur
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01121718

Soumis le : lundi 2 mars 2015-14:33:46

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01121718 , version 1 (02-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121718 , version 1

Citer

R. Cherfi, A. Benabdelmoumen, M. Kechouane, Tayeb Mohammed-Brahim. Effect of the substrate-holder bias voltage on the physical and chemical properties of a Si:H thin films prepared by DC magnetron sputtering. Conference on Thin Film Transistors ITC 2015, Feb 2015, Rennes, France. pp.101-102. ⟨hal-01121718⟩

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