Reduced bulk and surface states densities in metal-induced crystallized polycrystalline silicon nanowires

si electrical-properties grain-boundaries field-effect transistors energy-distribution induced lateral crystallization thin-film transistors conductance performance trapping states

Domaines

Réseaux et télécommunications [cs.NI] Electronique

Laurent Jonchère : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://univ-rennes.hal.science/hal-01413275

Soumis le : vendredi 9 décembre 2016-15:43:12

Dernière modification le : mercredi 10 mai 2023-08:39:33

Dates et versions

hal-01413275 , version 1 (09-12-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01413275 , version 1
DOI : 10.1002/pssa.201600375

Citer

Brice Le Borgne, Laurent Pichon, M. Thomas, Anne-Claire Salaün. Reduced bulk and surface states densities in metal-induced crystallized polycrystalline silicon nanowires. physica status solidi (a), 2016, 213 (11), pp.2890--2894. ⟨10.1002/pssa.201600375⟩. ⟨hal-01413275⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-NANTES UNIV-RENNES1 CNRS INSA-RENNES IETR CENTRALESUPELEC UR1-MATH-STIC UR1-UFR-ISTIC IETR-MM UNIV-RENNES INSA-GROUPE UR1-MATH-NUM NANTES-UNIVERSITE

63 Consultations

0 Téléchargements