Highly sensitive visible and near-infrared photo-FET based on PbS quantum dots embedded in the gate insulator - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Highly sensitive visible and near-infrared photo-FET based on PbS quantum dots embedded in the gate insulator

Mots clés

photodetector graphene

Domaines

Réseaux et télécommunications [cs.NI] Electronique

Laurent Jonchère  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://univ-rennes.hal.science/hal-01479180

Soumis le : mardi 28 février 2017-16:33:55

Dernière modification le : mercredi 10 mai 2023-08:39:33

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01479180 , version 1 (28-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01479180 , version 1

Citer

Xiang Liu, Emmanuel Jacques, Tayeb Mohammed-Brahim, Wel Lei. Highly sensitive visible and near-infrared photo-FET based on PbS quantum dots embedded in the gate insulator. 10th International Conference on Sensing Technology (ICST), Nov 2016, Nanjing, PEOPLES R, China. ⟨hal-01479180⟩

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