The annealing temperature effect on the electrical properties of boron-doped hydrogenated amorphous silicon a-Si:H(B)

N. Khelifati (1) , S. Tata (1) , A. Rahal (1) , Rabah Cherfi (1, 2) , Abdelkrim Fedala (1, 2) , M. Kechouane (1) , Tayeb Mohammed-Brahim (3)

1 Laboratoire de Physique des Matériaux
2 IETR - Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes
3 IETR - Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

N. Khelifati, S. Tata, A. Rahal, Rabah Cherfi, Abdelkrim Fedala, et al.. The annealing temperature effect on the electrical properties of boron-doped hydrogenated amorphous silicon a-Si:H(B). physica status solidi (c), 2010, 7 (3-4), pp.679-682. ⟨10.1002/pssc.200982718⟩. ⟨hal-00619526⟩